Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSSOP-8
0.092
(2.337)
0.026
(0.660)
0.014
(0.356)
0.012
(0.305)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72611
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
27
相关PDF资料
SI6955ADQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6966DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6967DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
SI6969BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
SI6973DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6975DQ-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
SI6993DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
SI6943 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6943BDQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6943BDQ_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6943BDQ-T1 功能描述:MOSFET 12V 2.5A 0.80W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6943BDQ-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6943BDQ-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6943BDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.5A 1.1W 80mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6943DQ 功能描述:MOSFET 20V/8V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube